리소그래피 기술의 진보: 55nm에서 28nm로, 국내 칩 제조의 과제
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그러나 제조업체는 더 높은 정밀도와 더 작은 칩 크기를 추구하면서 기술적 과제에 직면해 있습니다. 그 중 오버레이 정확도는 핵심 요소 중 하나입니다. 65nm 해상도의 국내 duv 리소그래피 기계의 오버레이 정확도는 8nm 이하에 도달했지만 이는 공장 표준일 뿐이며 실제 처리 중에 오류가 발생하고 최종 오버레이가 낮아져 예상 목표를 달성하지 못할 수 있습니다.
기술적인 관점에서 다중 노출은 한계를 돌파하기 위한 핵심 기술 수단 중 하나입니다. 이중 및 사중 노출은 오버레이를 효과적으로 줄이고 더 높은 정밀도와 더 작은 칩 크기를 달성할 수 있습니다. 그러나 이를 위해서는 다중 노출의 정확성을 보장하기 위해 더 높은 오버레이 정확도를 갖춘 포토리소그래피 기계가 필요합니다.
이와 대조적으로 업계에서는 asml nxt:1970(침수형 duv) 및 nxt:1980(침수형 duv)의 장점을 확인했습니다. 이 두 대의 리소그래피 기계는 28nm 공정의 대량 생산에서 핵심적인 역할을 하며 칩 제조업체에 더 높은 정밀도와 더 강력한 생산 능력을 제공합니다. 그러나 이는 산업기술 발전의 다양한 단계를 보여주기도 한다.
국내 노광기계 제조사들도 이 목표를 달성하기 위해 열심히 노력하고 있다. 건식 duv에서 침지형 duv로의 전환은 중요한 전환점이며, 실질적인 돌파구를 달성하려면 기술적 어려움을 극복해야 합니다. asml은 2006년 최초로 양산형 duv 노광기 xt:1700i를 출시해 캐논, 니콘을 제치고 노광기 시장에서 선두 자리를 차지했다.
앞으로 국내 리소그래피 기계 제조업체는 글로벌 경쟁에서 성공하기 위해 계속 열심히 노력하고 국제 경쟁업체와 긴밀한 협력을 유지해야 합니다. 기술이 계속 발전함에 따라 우리는 더욱 발전된 칩 제조 기술을 보게 될 것이며 인공 지능, 자율 주행 및 의료와 같은 분야에 더욱 강력한 성능과 응용 시나리오를 가져올 것입니다.